规格书 |
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Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) | 7mA @ 15V |
漏极至源极电压(VDSS) | - |
漏电流(ID) - 最大 | - |
FET 型 | P-Channel |
- 击穿电压(V(BR)的GSS) | 30V |
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID | 3V @ 10nA |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
电阻 - RDS(ON) | 125 Ohm |
安装类型 | Through Hole |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 350mW |
包装 | 3TO-92 |
配置 | Single |
渠道类型 | P |
最大门源电压 | 30 V |
最大漏极栅极电压 | -30 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Tape & Reel |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大门源电压 | 30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
封装 | Tape and Reel |
最大功率耗散 | 350 |
最大漏极栅极电压 | -30 |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Formed |
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) | 30V |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) | 7mA @ 15V |
电阻 - RDS(ON) | 125 Ohm |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
电压 - 切断(VGS关)@ Id | 3V @ 10nA |
FET型 | P-Channel |
功率 - 最大 | 350mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | J175_D26ZCT |
工厂包装数量 | 2000 |
产品种类 | JFET |
晶体管极性 | P-Channel |
源极击穿电压 | 30 V |
系列 | J175 |
单位重量 | 0.001940 oz |
RDS(ON) | 125 Ohms |
功率耗散 | 350 mW |
安装风格 | Through Hole |
漏源电流在Vgs = 0 | - 7 mA to - 60 mA |
栅源截止电压 | 6 V |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管类型 | :JFET |
Breakdown Voltage Vbr | :30V |
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | :-7mA |
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max | :-60mA |
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max | :6V |
功耗 | :350mW |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-92 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
Weight (kg) | 0.0005 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | J175"D26Z 575200B00000G J175_D26Z MPX02P MPX05GFNB |
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